物理特性：铟靶材呈银色光泽的灰色，熔点为 156.61℃，沸点 2060℃，密度 7.3 g/cm³。质地非常软，能用指甲刻痕，可塑性强，有良好的延展性，可压成片。

化学特性：铟具有较好的化学稳定性，但在一些特定的环境下，如高温、强酸碱等条件下，可能会发生化学反应。铟化合物在真空下蒸发，能够在电子产品和光伏电池生产中形成薄膜。

铟靶是现代电子信息、新能源、高端制造等战略性新兴产业的底层关键材料，其应用深度和广度直接反映一个国家在半导体、显示、光伏等领域的技术水平。由于全球铟资源稀缺（主要伴生于锌矿），且提纯工艺复杂，铟靶的供应链已成为各国关注的重点。未来，随着 5G、AI、新能源汽车等产业的爆发，铟靶的需求将持续增长，同时推动高纯铟（99.999% 以上）制备技术的不断突破。

溅射气体控制

气体纯度：使用高纯氩气（99.999% 以上），避免氧气、水汽混入导致铟靶氧化（氧化铟导电性下降，易形成电弧放电）。

气压调节：

直流溅射（DC）：气压通常为 0.1~10 Pa，低气压下溅射速率高但薄膜致密度低；高气压下薄膜均匀性好但沉积速率慢。

射频溅射（RF）：适用于绝缘基底，气压可略高于直流溅射，需根据薄膜厚度要求动态调整。

功率与温度管理

溅射功率：

铟的溅射阈值较低（约 10 eV），起始功率不宜过高（建议从 50 W 逐步递增），避免瞬间过热导致靶材熔融或飞溅（铟熔点仅 156.6℃，过热易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影响均匀性）。

直流溅射功率密度通常为 1~5 W/cm²，射频溅射可适当提高至 5~10 W/cm²。

靶材冷却：

采用水冷靶架（水温控制在 15~25℃），确保溅射过程中靶材温度低于 80℃（高温会导致铟原子扩散加剧，影响薄膜结晶质量）。

定期检查冷却水路是否通畅，避免因散热不良导致靶材变形或脱靶。