半导体材料

化合物半导体：

磷化铟（InP）：用于制造 5G 基站的射频器件、激光雷达（LiDAR）的发射器、光纤通信中的激光器和探测器，是光电子和高频电子领域的核心材料。

砷化铟（InAs）、锑化铟（InSb）：用于红外探测器、量子计算元件和高速集成电路。

集成电路封装：

铟焊料（如铟 - 锡合金）因低熔点（约 156℃）、高可靠性和抗腐蚀性，用于芯片与基板的连接（如倒装芯片技术），尤其在航空航天和军工领域不可替代。

精铟的核心特性

超高纯度

杂质含量极低（如铅、锌、铁等金属杂质通常低于百万分之一），确保材料性能的稳定性和可靠性。

物理性质优异

导电性：电阻率低（约 8.3 × 10⁻⁸ Ω・m），接近纯银，适合高频电路和精密电子器件。

延展性：可轧制成厚度仅 0.1 微米的箔材，或拉成极细的导线，用于柔性电子和微纳加工。

低熔点：熔点 156.6℃，便于低温焊接和合金制备，且焊接过程中不易损伤敏感元件。

化学稳定性

在常温下不易氧化（需在高温或强腐蚀性环境中才会反应），适合高要求的密封和涂层应用。

半导体与微电子工业

化合物半导体材料

磷化铟（InP）单晶衬底：

精铟是制备 InP 晶圆的核心原料，用于生产 5G 基站的射频芯片（如 HEMTs 高电子迁移率晶体管）、光纤通信的激光器（如 1.55μm 波段 DFB 激光器）和量子点发光器件（QLED）。

应用场景：5G 通信、数据中心光模块、自动驾驶激光雷达（LiDAR）。

砷化铟（InAs）/ 锑化铟（InSb）：

用于红外探测器（如军用夜视仪、卫星热成像）和拓扑量子计算元件。

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